2月10日消息，意法半導體表示，其在2021年7月成功制造出的首批8英寸SiC晶圓質(zhì)量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷少，目標在2024年量產(chǎn)并實(shí)現40%的自主供應，并計劃到2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍。
此外，電力和能源領(lǐng)域在政府政策和投資計劃的支持下，意法半導體對電網(wǎng)、綠色公共交通和能源轉型等關(guān)鍵基礎設施的投資正在擴大。
2月10日消息，意法半導體表示，其在2021年7月成功制造出的首批8英寸SiC晶圓質(zhì)量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷少，目標在2024年量產(chǎn)并實(shí)現40%的自主供應，并計劃到2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍。
此外，電力和能源領(lǐng)域在政府政策和投資計劃的支持下，意法半導體對電網(wǎng)、綠色公共交通和能源轉型等關(guān)鍵基礎設施的投資正在擴大。